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Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器串口MRAM芯片常見問題

2025-11-19 11:36:45

在嵌入式存儲(chǔ)應(yīng)用中,串口MRAM芯片憑借其非易失性、高速度及高耐用性受到廣泛關(guān)注。作為磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器技術(shù)的代表,Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在工業(yè)控制、數(shù)據(jù)中心和汽車電子等領(lǐng)域表現(xiàn)優(yōu)異。下文整理了幾個(gè)Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器串口MRAM芯片的常見問題:
 
1、磁場(chǎng)對(duì)MRAM設(shè)備是否有影響?
Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器在設(shè)計(jì)時(shí)已充分考慮到外部磁場(chǎng)的影響。其規(guī)格書中明確規(guī)定了兩種磁場(chǎng)容忍閾值:
•Hmax_write:指在數(shù)據(jù)寫入過程中設(shè)備可承受的最大外部磁場(chǎng)強(qiáng)度。
•Hmax_read:適用于數(shù)據(jù)讀取、待機(jī)狀態(tài)或斷電情況下的磁場(chǎng)耐受值。
在Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器實(shí)際使用中,只要外部磁場(chǎng)強(qiáng)度不超過所規(guī)定的閾值,設(shè)備即可穩(wěn)定工作,數(shù)據(jù)不會(huì)因常規(guī)磁場(chǎng)干擾而丟失。
 
2、能否在MRAM附近使用磁化工具?
很多用戶擔(dān)心電動(dòng)螺絲刀、帶磁鉆頭等磁化工具會(huì)影響MRAM運(yùn)行。實(shí)際上,在設(shè)備未通電狀態(tài)下,這類工具可在距離MRAM封裝至少1毫米以外的地方安全使用。但需注意避免磁體直接接觸Everspin磁性隨機(jī)存儲(chǔ)器芯片封裝。任何電子元件在通電狀態(tài)下都應(yīng)避免附近使用強(qiáng)磁性工具,這是普遍的設(shè)計(jì)原則。
 
3、如何有效避免磁場(chǎng)干擾問題?
Everspin MRAM內(nèi)部采用軟磁屏蔽結(jié)構(gòu),能有效約束磁通量擴(kuò)散,使其不會(huì)對(duì)外圍電路造成干擾。因此,用戶通常無需為串口MRAM芯片額外加裝磁屏蔽措施。在系統(tǒng)集成時(shí),建議參考產(chǎn)品手冊(cè)中列出的磁場(chǎng)參數(shù),合理布局,避免將芯片安裝在持續(xù)強(qiáng)磁場(chǎng)源(如大型電機(jī))的正上方或緊鄰位置。
 
4、串口MRAM芯片器件的濕度敏感等級(jí)如何?
目前,所有Everspin M串口MRAM芯片產(chǎn)品均達(dá)到MSL-3(濕度敏感等級(jí)3)標(biāo)準(zhǔn)。部分早期型號(hào)或特定封裝類型可能在認(rèn)證完成前有較短的車間壽命,建議用戶在采購(gòu)與存儲(chǔ)時(shí)留意產(chǎn)品包裝說明,并遵循推薦的焊接與存儲(chǔ)條件。
 
5、串口MRAM芯片系統(tǒng)設(shè)計(jì)中如何降低外部磁場(chǎng)風(fēng)險(xiǎn)?
Everspin MRAM的磁場(chǎng)耐受能力與普通硬盤相當(dāng),因此可安全用于電機(jī)、變壓器等設(shè)備附近,只要實(shí)際場(chǎng)強(qiáng)不超出其規(guī)格范圍。建議在整機(jī)設(shè)計(jì)階段通過模擬或?qū)崪y(cè),確認(rèn)安裝位置的磁場(chǎng)強(qiáng)度,并合理規(guī)劃MRAM與其他磁性部件的物理距離。
 
本文關(guān)鍵詞:MRAM,串口MRAM芯片
 

上一篇文章:高速數(shù)據(jù)存取同步SRAM與異步SRAM的區(qū)別


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